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概要

电化TFE可以在钨单晶针状物的表面上形成覆有锆和氧的吸附层，从而被当作减少钨的功函数的肖特基发射极来使用。不但具有超过单晶体LaB6阴极100倍以上的光亮度而且能量偏差小，即使是低加速电压也可以有缩小探头直径的可能性。因此最适合应用在半导体材料和设备机械的表面观察上。 此外，不仅放射电流是极其稳定的，还寿命长，因此以半导体检查装置或电子束曝光设备为首，在各种电子束应用设备上被使用采纳。

特点

通过先进的针加工技术，制造出多种大小范围的曲率半径的芯片。
因为偏差小，所以具备再现性能好的电子发射特点。
可以对应指定的电子枪的配置。
此外，也可以提供芯片，压缩机，引出电极为一体的模块形式。

用途

高分辨率扫描电子显微镜，透射分析电子显微镜，半导体测试装置（CD-SEM，DR-SEM EBI），电子束曝