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概要

是以具有氧化铝的约7倍导热率的氮化铝(AlN)为主要成分的高导热性陶瓷基板。

特点

• 高导热性:氧化铝的约7倍
• 高绝缘性:介电常数低，具有与氧化铝匹敌的优良电性
• 机械特性:与氧化铝有同等的高强度。
• 热膨胀率低:热膨胀率与硅相近。

运行轻快!

功率晶体管模块以及高频～微波半导体电路等，在要求高绝缘性与散热性的领域上，氮化铝作为高导热性陶瓷基板以及封装材料，倍受注目。
我公司以运用通过氮化硼、氮化硅等的精密陶瓷开发所积累的氮化、烧结技术与通过HITT PLATE开发等所积累的金属基板制造技术为基础，开发了AN PLATE。

“电化 AN PLATE”是使用具有氧化铝的数倍的导热率的氮化铝的高导热陶瓷基板。主要作为要求高导热性和高耐电压性的功率模块用陶瓷电路基板。我公司除了标准品(150W/mK)外、还备有高导热型(180W/mK)、具有优良的耐热循环性的高信赖性型、更高度的高耐电压用厚板型等各种各样的等级品。

通过整备从原料AlN粉末到厚铜基板的综合生产、管理体制，实现了前所未有的成本性和高质量。

用途

• 功率晶体管模块:产业机械用(工业机械、半导体制造装置、风力发电、FA机器人等)、电气化铁道用
• 电源:不间断电源(UPS)
• 发光二极管(LED):安装基板
• 汽车电装(HEV用逆变器)

特性

AlN的一般特性(代表值)

详细信息

入金不要ボーナス フレッシュカジノ规格、基本物性